电子芯片和LED芯片有什么主要区别？

1，芯片的裸die尺寸相差不是太大，如cm/mm/0.1mm这个量级，但同样大小的集成电路里面有非常复杂的电路（常说的7nm/10nm工艺），IC设计和制造一样为非常复杂高难度的工程，由此衍生既像Intel、三星这样设计制造一体的公司，也有高通、苹果这样的Fabless公司及台积电这样的专业代工厂；而分立器件一颗die就是独立的一个发光源再加上正负电极，里面的制程可能100um/10um级就够了，制造工艺流程也简单很多，从头到尾一百次左右工序就差不多了。更谈不上独立的LED IC设计公司。

2，芯片制造厂对清洁和低缺陷率要求很高，前者可能影响性能，缺陷多了，载流子移动速度上不来，如同一批货，有的能跑2.8GHz频率，有的只能跑2G以下；LED芯片对发光层缺陷率的要求比硅器件还要高几个数量级（印象中数据），否则严重影响发光效率，也就是很大部分能量以热能形式损失掉了。LED技术和产品已有几十年历史，但大规模使用（如液晶屏幕背光）是这二十年来的事情，材料不行导致发光效率低是首要原因。

企业视频展播，请点击播放

视频作者：马鞍山杰生半导体有限公司

在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片。

刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西，如方片)。

LED制作流程分为两大部分。

首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。

准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。

常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。

MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。

通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。

MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。

　近几年，LED电子显示屏市场十分，带动着整个LED显示屏行业进入到高速增长阶段。除了在户外被大量应用的广告屏、演艺屏、交通诱导屏等之外，应用于室内LED显示屏也是一个潜力巨大的市场，其中包括室内监控大屏幕以及室内电子幕墙等。但从技术层面来看，实际上，在过去10年左右的时间里，大多数厂商推出的LED屏在基本的系统架构上并没有太大的变化，只是针对某些技术指标作一定程度的改善和修正。

　　同时，在产品的普及推广上也相对滞后，虽然早在几年前市场上就已有带PWM(脉冲宽度调制)功能的显示屏驱动IC产品推出，且市场人士也均已认同PWM功能具有高刷新率、电流恒定等优势，但由于价格等因素，至今为止这类显示屏驱动IC的市场份额仍旧不高，市场上应用量较大的还是以基本款居多(如聚积5024/26等)，产品主要应用在一些较为注重品质的LED屏租赁市场中。

　　然而，伴随着目前LED显示屏市场的迅猛发展，越来越多的用户开始对LED屏提出了从视觉效果、传输方式、显示方式，到播放方式等一系列复杂的要求，这也使得LED屏产品面临一次全新的技术革新机遇，而作为整体显示屏系统的“大脑”——LED驱动IC将起到致关重要的作用。