外延片处于LED产业链中的上游环节，包括原材料、衬底材料及设备这三大领域。在LED外延片生长、芯片、芯片封装这三个环节中，外延片生长投资要占到70%，外延片成本要占到封装成品的70%。

外延片生长主要依靠生长工艺和设备。制造外延片的主流方法是采用金属有机物化学气相沉积（MOCVD），但即使是这种“蕞经济”的方法，其设备制造难度也非常大。国际上只有德国、美国、英国、日本等少数国家中数量非常有限的企业可以进行商业化生产。

外延片材料主要是硅，硅外延片也是当前外延片的主体。世界多晶硅、硅单晶及硅片等外延片制造材料几乎全部为信越（本部在日本，马来西亚、美国、英国）、MEMC（本部在美国，意大利、日本、韩国、马来西亚、台湾）、Wacker（本部在德国，美国、新加坡）、三菱（本部在日本，美国、印度尼西亚）等公司所控制，这四家公司的市场占有率近70%。这些公司除了本部之外，都在其它国家和地区设厂，是跨国生产与经营的公司。

国内外延片市场的基本格局是外资企业产品技术占据主导，本土厂商逐步崛起。近年来，下游应用市场的繁荣带动了我国LED产业迅猛发展，外延片市场也迎来发展良机。国内LED外延片产能快速提升，技术水平不断进步，产品已开始进入中高挡次。

为进一步完善LED产业链，“十二五”期间各级政府继续加强对上游外延片领域基础研究的投入，中下游企业也在积极向上游拓展。外延片作为LED核心器件中的前端高技术产品，我国在这一领域的企业竞争目前仍处于“蓝海”阶段，国内LED外延片市场发展前景乐观。

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视频作者：马鞍山杰生半导体有限公司

在晶片上生长为外延片的步骤：

在单晶衬底上生长一薄层单晶工艺，称为外延；长有外延层的晶体片称为外延片；外延材料是LED的核心部分。LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。 外延技术和设备分气相外延、液相外延、金属有机化合物气相外延（MOCVD）,目前主流方式为 MOCVD，而 MOCVD 外延炉则是 LED 外延片和芯片制造过程中的蕞重要的设备，在2008年前后时期，一套 MOCVD 设备需要上千万人民i币左右。

把衬底放到外延炉中，然后控制化合物气体在衬底上沉积，就像植物从地下生长上来一样，化合物沉积到衬底上好像从衬底上生长上来的一样，所以称之为外延片生长。需要生长多层微米级别的不同层。

在LED芯片制作过程中，把一些有缺陷的或者电极有磨损的芯片，分捡出来，这些就是后面的散晶，此时在蓝膜上有一些不符合正常出货要求的晶片，也就自然成了边片。

刚才谈到在晶圆上的不同位置抽取九个点做参数测试，对于不符合相关要求的晶圆片作另外处理，这些晶圆片是不能直接用来做LED方片，也就不做任何分检了，直接卖给客户了，也就是目前市场上的LED大圆片(但是大圆片里也有好东西，如方片)。

LED制作流程分为两大部分。

首先在衬低上制作氮化家(GaN)基的外延片，这个过程主要是在金属有机化学气相沉积外延炉中完成的。

准备好制作GaN基外延片所需的材料源和各种高纯的气体之后，按照工艺的要求就可以逐步把外延片做好。

常用的衬底主要有蓝宝石、碳化硅和硅衬底，还有GaAs、AlN、ZnO等材料。

MOCVD是利用气相反应物(前驱物)及Ⅲ族的有机金属和Ⅴ族的NH3在衬底表面进行反应，将所需的产物沉积在衬底表面。

通过控制温度、压力、反应物浓度和种类比例，从而控制镀膜成分、晶相等品质。

MOCVD外延炉是制作LED外延片蕞常用的设备。