在晶片上生长为外延片的步骤：
在单晶衬底上生长一薄层单晶工艺，称为外延；长有外延层的晶体片称为外延片；外延材料是LED的核心部分。LED的波长、亮度、正向电压等主要光电参数基本上取决于外延材料。 外延技术和设备分气相外延、液相外延、金属有机化合物气相外延（MOCVD）,目前主流方式为 MOCVD，而 MOCVD 外延炉则是 LED 外延片和芯片制造过程中的蕞重要的设备，在2008年前后时期，一套 MOCVD 设备需要上千万人民i币左右。
把衬底放到外延炉中，然后控制化合物气体在衬底上沉积，就像植物从地下生长上来一样，化合物沉积到衬底上好像从衬底上生长上来的一样，所以称之为外延片生长。需要生长多层微米级别的不同层。
LED芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极，并能满足可接触材料之间较为小的压降及提供焊线的压垫，同时尽可能的多地出光。
渡膜工艺一般用真空蒸镀方法，4Pa高真空下，用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化，并在低气压下BZX79C18变成金属蒸气沉积在半导体材料表面。
一般所用的P型接触金属包括AuBe、AuZn等合金，N面的接触金属常采用AuGeNi合金。
镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多地露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极及焊线压垫的要求。
光刻工序结束后还要通过合金化过程，合金化通常是在H2或N2的保护下进行。
合金化的时间和温度通常是根据半导体材料特性与合金炉形式等因素决定。
当然若是蓝绿等芯片电极工艺还要复杂，需增加钝化膜生长、等离子刻蚀工艺等。
从高可靠上来说：主要包括失效率、寿命等指标上。但在应用中却存在不同的理解和阐述。高可靠性指的是产品在规定条件下和规定时间内，完成规定功能的能力。led失效类别主要有严重失效和参数失效。而寿命是产品可靠性的表征值。：一般指统计平均值，对大量元器件而言，led器件的寿命就是采用这种描述的含义。但影响led显示屏产品可靠性的因素有芯片制造、封装、热阻、散热等。既然说到这个，希望企业对led显示屏产品在执行质量控制的基础上，作2点要求：
1.减少失效率。
2.延长耗损失效时间。
后是在降低产品成本上：目前很多消费者在购买led显示屏时候都觉得价格太高，因此争对这个很多led显示屏厂家也都采取了相应的措施，要降低成本除了大批量生产外，主要从技术上采取措施来降低成本的方法、途径。主要是在外延芯片、封装、驱动、散热等方面降低成本，从而从根本上解决led显示屏产品的成本问题。具体从以下四个方面谈及：
1.外延芯片环节降低成本的方法。
2.封装环节降低成本的方法。
3.灯具环节降低成本的方法。
4.其他配套成本的降低。
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